onsemi NTBG028N170M1 SiC MOSFETS シリコンカーバイド (SiC) MOSFET - EliteSiC、28 mohm、1700 V、M1、D2PAK-7L
メーカーonsemi(このブランドの他の製品を見る)
ModelNTBG028N170M1
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Fall Time: 13 ns
Rise Time: 18 ns
Technology: SiC
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 222 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 428 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 15 V, + 25 V
Typical Turn-On Delay Time: 47 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 121 ns
Id - Continuous Drain Current: 71 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 27 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.7 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.3 V
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス