onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG MOSFET単一NチャネルパワーMOSFET 100V、367A、1.7mΩ
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ModelNTMTSC1D6N10MCTXG
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Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 106 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 291 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 267 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
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