onsemi NVMFS2D3P04M8LT1G MOSFETs NVMFS2D3P04M8L パワーMOSFET、シングル、Pチャネル、-40 V、2.2 mΩ、-222 A
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ModelNVMFS2D3P04M8LT1G
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Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 157 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 3.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 222 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
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