onsemi NVXR22S90M2SPM EliteSiC パワーモジュール SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM
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ModelNVXR22S90M2SPM
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Fall Time: 48 ns
Rise Time: 94 ns
Technology: SiC
Configuration: Module
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 900 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 22 V
Typical Turn-On Delay Time: 106 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 295 ns
Id - Continuous Drain Current: 510 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.7 V
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