onsemi NXH003P120M3F2PTNG ハーフブリッジ 1200V 3M M3S SiC ハーフブリッジ SI3N4 DBC 搭載 F2 モジュール
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ModelNXH003P120M3F2PTNG
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Fall Time: 16 ns
Rise Time: 17 ns
Technology: SiC
Configuration: Half Bridge
Mounting Style: Press Fit
Vf - Forward Voltage: 4.8 V
Pd - Power Dissipation: 1.482 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 22 V
Typical Turn-On Delay Time: 49 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 144 ns
Id - Continuous Drain Current: 435 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.88 mohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V
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