onsemi NXH030P120M3F1PTG ハーフブリッジ 30M 1200V 40A M3S SIC ハーフブリッジモジュール
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ModelNXH030P120M3F1PTG
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Width: 34.1 mm
Height: 12.35 mm
Length: 63.3 mm
Fall Time: 9.4 ns
Rise Time: 6.6 ns
Technology: SiC
Configuration: Half-Bridge
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 100 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 22 V
Typical Turn-On Delay Time: 19.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 84.8 ns
Id - Continuous Drain Current: 42 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 38.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.4 V
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