onsemi NXH450B100H4Q2F2PG SiC IGBTモジュール Si/SiCハイブリッドモジュール、3チャネル対称ブースト 1000 V、150 A IGBT、1200 V、30 A SiCダイオード プレスフィットピン

Technology: Si

Configuration: Dual

Pd - Power Dissipation: 234 W

Gate-Emitter Leakage Current: 800 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C: 101 A