onsemi TIP29CG BJTs - バイポーラトランジスタ 1A 100V 30W NPN
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ModelTIP29CG
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Width: 4.83 mm
Height: 15.75 mm
Length: 10.53 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 30 W
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Continuous Collector Current: 1 A
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
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