onsemi UHB100SC12E1BC3N シリコンカーバイドMOSFET、ハーフブリッジ、Nチャネル、100A、1.2kV、12ミリオーム、PIM、18ピン
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ModelUHB100SC12E1BC3N
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No. of Pins: 18
Channel Type: N Channel
Power Dissipation: 417 W
RDS(ON) Test Voltage: 12 V
Transistor Case Style: PIM
Drain Source Voltage Vds: 1.2 kV
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Drain Current Id: 100 A
Mosfet Module Configuration: Half Bridge
Drain Source On State Resistance: 12 mOhm
Gate Source Threshold Voltage Max: 6 V
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