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Technology: Si
Unit Weight: 14.194 mg
Qg - Gate Charge: 6.8 nC
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Id - Continuous Drain Current: 7.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V
