Qorvo QPD1022 GaN FETs DC-12 GHz、10W、32V GaN RF トランジスタ
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ModelQPD1022
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Technology: GaN
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 17.5 W
Maximum Operating Frequency: 12 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 2.4 A
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 100 V
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