Qorvo TGF2929-FS RFパワーMOSFET DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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ModelTGF2929-FS
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Technology: GaN-on-SiC
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 144 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 7 V, + 2 V
Id - Continuous Drain Current: 12 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 28 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.9 V
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