Rectron 2N5551-T BJTs - バイポーラトランジスタ NPN 0.6A 160V
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Model2N5551-T
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Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 625 mW
DC Current Gain hFE Max: 250
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 180 V
Continuous Collector Current: 600 mA
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
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