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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 63.5 W
Gate-Emitter Leakage Current: 1 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Continuous Collector Current Ic Max: 30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.35 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
