ROHM Semiconductor 2SAR372P5T100R BJTs - バイポーラトランジスタ PNP -0.7A-120V 低周波増幅器
Model2SAR372P5T100R
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 390
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Continuous Collector Current: - 700 mA
Maximum DC Collector Current: 700 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 180 mV
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