ROHM Semiconductor 2SB1260T100P BJTs - バイポーラトランジスタ DVR PNP 80V 1A
Model2SB1260T100P
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Width: 2.5 mm
Height: 1.5 mm
Length: 4.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 130.500 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 2 W
DC Current Gain hFE Max: 82 at 100 mA, 3 V
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Continuous Collector Current: - 1 A
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 82
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
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