ROHM Semiconductor 2SCR375P5T100R BJTs - バイポーラトランジスタ NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
Model2SCR375P5T100R
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Technology: Si
Unit Weight: 120.210 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 390 at 200 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Continuous Collector Current: 1.5 A
Maximum DC Collector Current: 1.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 100 mV
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