ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 IGBTトランジスタ TO247 1200V 15A TRNCH
ModelRGS30TSX2DHRC11
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 267 W
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C: 30 A
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