Sanken FKI06190 三研_カテゴリ_トランジスタ、MOSFET、IGBT、アレイ
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ModelFKI06190
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Type: Power MOSFET
Vgs(th): 2.5 V
Vgs (Max): 20V
Gate Charge (Qg): 23.7nC
Power consumption: 32W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 60V
Continuous drain current: 30A
Input Capacitance (Ciss): 1510pF
Operating temperature range: 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 15.3mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5|10V
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