Sharp Microelectronics GP1S196HCPSF 光スイッチ、透過型、フォトトランジスタ出力
ModelGP1S196HCPSF
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Fall Time: 50 us
Rise Time: 50 us
Slot Width: 1.1 mm
Wavelength: 950 nm
Output Type: Phototransistor
Unit Weight: 109.190 mg
Aperture Width: 0.3 mm
Mounting Style: SMD/SMT
Sensing Method: Transmissive, Slotted
Sensing Distance: 1.1 mm
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
If - Forward Current: 20 mA
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Maximum Collector Current: 20 mA
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 25 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 35 V
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