STMicroelectronics STGB25N40LZAG IGBTトランジスタ 自動車グレード 400 V 内部クランプ付き IGBT ESCIS 320 mJ
ModelSTGB25N40LZAG
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Technology: Si
Unit Weight: 1.380 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 150 W
Gate-Emitter Leakage Current: 625 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 12 V, 16 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 435 V
Continuous Collector Current Ic Max: 25 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.1 V
Continuous Collector Current at 25 C: 25 A
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