STMicroelectronics STGD3HF60HDT4 IGBTトランジスタ 4.5A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
ModelSTGD3HF60HDT4
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Technology: Si
Unit Weight: 260.400 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 38 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.45 V
Continuous Collector Current at 25 C: 7.5 A
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