STMicroelectronics STGP7H60DF IGBTトランジスタ トレンチゲートフィールドストップIGBT、Hシリーズ 600 V、7 A 高速
ModelSTGP7H60DF
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Width: 10.4 mm
Height: 4.6 mm
Length: 15.85 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 88 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 175 C
Continuous Collector Current: 14 A
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 14 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V
Continuous Collector Current at 25 C: 14 A
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