STMicroelectronics STPSC12H065D ショットキシリコンカーバイドダイオード 650 V、12 A 高サージシリコンカーバイドパワーショットキダイオード

Technology: SiC

Unit Weight: 2.300 g

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

If - Forward Current: 12 A

Ir - Reverse Current: 10 uA

Vf - Forward Voltage: 1.56 V

Ifsm - Forward Surge Current: 100 A

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 650 V