STMicroelectronics STT13005D BJTs - バイポーラトランジスタ 高電圧高速スイッチ NPN パワートランジスタ
ModelSTT13005D
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Width: 2.9 mm
Height: 11.05 mm
Length: 7.8 mm
Technology: Si
Unit Weight: 60 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 45 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
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