Toshiba RN1103MFV,L3F 内蔵トランジスタ付きデジタルトランジスタバイアス抵抗器
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ModelRN1103MFV,L3F
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Unit Weight: 1.500 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Typical Input Resistor: 22 kOhms
Typical Resistor Ratio: 1
Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V
Continuous Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70 at 10 mA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
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