Toshiba RN1409,LF デジタルトランジスタ バイアス抵抗 内蔵トランジスタ
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ModelRN1409,LF
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Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Typical Input Resistor: 47 kOhms
Typical Resistor Ratio: 2.14
Emitter- Base Voltage VEBO: 15 V
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
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