Toshiba RN1907FE,LF(CT デジタルトランジスタ バイアス抵抗 内蔵トランジスタ
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ModelRN1907FE,LF(CT
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Unit Weight: 3 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Typical Input Resistor: 10 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.213
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
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