Toshiba RN2905,LF(CT デジタルトランジスタ バイアス抵抗 内蔵トランジスタ
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ModelRN2905,LF(CT
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Unit Weight: 6 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Typical Input Resistor: 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.0468
Peak DC Collector Current: - 100 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: - 5 V
Maximum Operating Frequency: 200 MHz
Continuous Collector Current: - 100 mA
Maximum DC Collector Current: - 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 50 V
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