Toshiba RN2905FE,LF(CT デジタルトランジスタ バイアス抵抗 内蔵トランジスタ
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ModelRN2905FE,LF(CT
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Unit Weight: 3 mg
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 100 mW
Typical Input Resistor: 2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.0468
Emitter- Base Voltage VEBO: - 10 V
Continuous Collector Current: - 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: - 50 V
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