Toshiba SSM6K217FE,LF MOSFET 小信号 MOSFET
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ModelSSM6K217FE,LF
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Width: 1.2 mm
Height: 0.55 mm
Length: 1.6 mm
Technology: Si
Unit Weight: 8.200 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 1.1 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Id - Continuous Drain Current: 1.8 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 400 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV
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