Toshiba TK7A65D(STA4,Q,M) MOSFETs Nチャネル MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
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ModelTK7A65D(STA4,Q,M)
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Width: 4.5 mm
Height: 15 mm
Length: 10 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 24 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 45 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Id - Continuous Drain Current: 7 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 980 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
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