Toshiba TRS8E65F,S1Q ショットキシリコンカーバイドダイオード V=650 IF=8A
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ModelTRS8E65F,S1Q
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Technology: SiC
Unit Weight: 2 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
If - Forward Current: 8 A
Ir - Reverse Current: 400 nA
Vf - Forward Voltage: 1.45 V
Ifsm - Forward Surge Current: 69 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 650 V
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