TT Electronics / Optek Technology 2N2222AUB BJTs - バイポーラトランジスタ NPN G.P. トランジスタ
Model2N2222AUB
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Width: 2.67 mm
Height: 1.37 mm
Length: 3.18 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6.724 g
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 325
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
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