Vishay General Semiconductor SIR5708DP-T1-RE3 MOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET
ModelSIR5708DP-T1-RE3
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Fall Time: 18 ns
Rise Time: 16 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 26 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
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