Vishay General Semiconductor TCET1104G トランジスタ出力フォトカプラ フォトトランジスタ出力 単一 CTR 160-320%
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Width: 6.3 mm
Height: 3.6 mm
Length: 4.75 mm
Fall Time: 4.7 us
Rise Time: 3 us
Output Type: NPN Phototransistor
Unit Weight: 260 mg
Configuration: 1 Channel
Mounting Style: Through Hole
Isolation Voltage: 5000 Vrms
Number of Channels: 1 Channel
If - Forward Current: 60 mA
Vf - Forward Voltage: 1.6 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Current Transfer Ratio: 160 %
Pd - Power Dissipation: 265 mW
Maximum Collector Current: 50 mA
Current Transfer Ratio - Max: 320 %
Current Transfer Ratio - Min: 160 %
Maximum Operating Temperature: + 100 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Collector Emitter Voltage: 70 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 300 mV
