Vishay General Semiconductor VS-GP100TS60SFPBF IGBTトランジスタ Ic 100A Vce(On)1.16V ハーフブリッジ トレンチ P
ModelVS-GP100TS60SFPBF
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Unit Weight: 200 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 781 W
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 337 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.16 V
Continuous Collector Current at 25 C: 337 A
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス