Vishay General Semiconductor VS-GP400TD60S IGBTトランジスタ Ic 400A Vce(On)1.30V ハーフブリッジ トレンチ P
ModelVS-GP400TD60S
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Technology: Si
Unit Weight: 333.672 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 1.563 kW
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 750 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 758 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.3 V
Continuous Collector Current at 25 C: 758 A
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