Vishay SQM120N04-1M4L_GE3 MOSパワートランジスタ LV (<= 40V)
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ModelSQM120N04-1M4L_GE3
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Channel Type: N Channel
Qualification: AEC-Q101
Power Dissipation: 375
Transistor Mounting: Surface Mount
Transistor Case Style: TO-263 (D2PAK)
Drain Source Voltage Vds: 40
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Drain Current Id: 120
Drain Source On State Resistance: 1.7
Gate Source Threshold Voltage Max: 3.5
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