WeEn Semiconductors BTA316-600E/DGQ トライアック BTA316-600E/DG/SIL3P/スタンダード
ModelBTA316-600E/DGQ
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Unit Weight: 1.800 g
Mounting Style: Through Hole
On-State Voltage: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 15 mA
Gate Trigger Current - Igt: 10 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 800 mV
Maximum Operating Temperature: + 125 C
On-State RMS Current - It RMS: 16 A
Non Repetitive On-State Current: 150 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 100 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
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