WeEn Semiconductors BUJ106A,127 BJTs - バイポーラトランジスタ Trans GP BJT NPN 400V 10A 3ピン(3+タブ)
ModelBUJ106A,127
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Technology: Si
Unit Weight: 6 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 80 W
DC Current Gain hFE Max: 33
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Continuous Collector Current: 10 A
Maximum DC Collector Current: 10 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
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