WeEn Semiconductors BUJ302AX,127 BJTs - バイポーラトランジスタ NPN 400 V 4 A
ModelBUJ302AX,127
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Technology: Si
Unit Weight: 2.089 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 26 W
DC Current Gain hFE Max: 100
Emitter- Base Voltage VEBO: 19 V
Continuous Collector Current: 4 A
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 25
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
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