WeEn Semiconductors BUJD105AD,118 BJTs - バイポーラトランジスタ TRANS NPN 700V 8A
ModelBUJD105AD,118
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Width: 6.22 mm
Height: 2.38 mm
Length: 6.73 mm
Technology: Si
Unit Weight: 260.400 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 80 W
DC Current Gain hFE Max: 36
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Maximum DC Collector Current: 8 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 8
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 350 mV
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