WeEn Semiconductors PHD13005,127 BJTs - バイポーラトランジスタ トランジスタ NPN BIPO 700V
ModelPHD13005,127
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Technology: Si
Unit Weight: 1.800 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 75 W
DC Current Gain hFE Max: 40
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
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