WeEn Semiconductors PHE13003A,126 BJTs - バイポーラトランジスタ シングルNPN 1A 2.1W
ModelPHE13003A,126
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 2.1 W
DC Current Gain hFE Max: 30
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Continuous Collector Current: 1 A
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 5
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス