Bourns TISP61089MDR-S 듀얼 포워드 컨덕팅 P-게이트 사이리스터 고서지 듀얼 프로그래머블 프로텍터
ModelTISP61089MDR-S
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Unit Weight: 80 mg
Current Rating: 5 uA
Mounting Style: SMD/SMT
Vf - Forward Voltage: 3 V
Breakover Voltage VBO: - 112 V
Holding Current Ih Max: - 150 mA
Gate Trigger Current - Igt: 5 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 2.5 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Non Repetitive On-State Current: 11 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: - 170 V
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