GeneSiC G3F25MT12K SiC MOSFETS 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
ModelG3F25MT12K
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Technology: SiC
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
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