Infineon FD800R45KL3KB5NPSA1 IGBT 실리콘 모듈 4500 V, 800 A 초퍼 IGBT 모듈
ModelFD800R45KL3KB5NPSA1
문의하기
안전한 결제
품질 보장
간편 교환 및 반품
배송 가능
Technology: Si
Configuration: Single
Pd - Power Dissipation: 1.6 MW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 50 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 4.5 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 800 A
빠른 지원
인증된 전문가에게 직접 연결