Infineon FS500R17OE4D IGBT 실리콘 모듈 1700 V, 500 A 식스팩 IGBT 모듈

Name: Infineon FS500R17OE4D IGBT 실리콘 모듈 1700 V, 500 A 식스팩 IGBT 모듈
Brand: Infineon

ModelFS500R17OE4D

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Technology: Si

Unit Weight: 1 kg

Configuration: 6-Pack

Pd - Power Dissipation: 3 kW

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V

Continuous Collector Current at 25 C: 740 A

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