Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 IGBT 실리콘 모듈 1200 V, 450 A 듀얼 IGBT 모듈

Name: Infineon IFF450B12ME4PB11BPSA1 IGBT 실리콘 모듈 1200 V, 450 A 듀얼 IGBT 모듈
Brand: Infineon

ModelIFF450B12ME4PB11BPSA1

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Technology: Si

Unit Weight: 345 g

Configuration: Dual

Mounting Style: Press Fit

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 15 V

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.75 V

Continuous Collector Current at 25 C: 450 A

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